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IC China2019丨Qorvo应用市场总监黄靖:5G时代化合物半导体将呈爆发性增长

中国电子报4天前我想分享编者按:几天前,第二届全球IC企业家大会在上海举行。化合物半导体产业趋势论坛是六个分论坛之一,同时举行。该论坛由CCID集成电路研究所,中国宽带功率半导体和应用产业联盟主办。主题是《迎接化合物半导体的产业化浪潮》,会议专家介绍了化合物半导体。讨论了材料,芯片和设备的发展现状和未来趋势。

Qorvo应用营销总监黄静:

在从4G升级到5G的过程中,化合物半导体将呈现爆炸式增长。特别是,5G MIMO天线的使用使得功率放大器(PA)市场的增长更快。在未来几年内,使用GaN技术的功率放大器将成为市场的主流选择,无论是在5G基站还是升级的4G基站。

以中国为例。今年在中国部署的5G基站数量将达到10万个。到2020年,中国将有40万到80万个5G基站。 5G MIMO天线阵列将达到64个。这样的大型天线阵列在功耗,尺寸和成本方面面临前所未有的挑战。如何使用先进的化合物半导体工艺来实现最佳系统规格是最大化5G MIMO性能的关键之一。对于运营商而言,如何在5G基站的成本,可靠性和性能方面找到最佳解决方案已成为他们正在考虑的问题。随着性能要求的不断提高,传统硅基材料的性能限制逐渐显现,GaN功率放大器技术正在从专业应用向通信市场转变。

GaN材料的特性使其具有高可靠性,高带宽和高频率支持的特性。对于相同的性能指标,GaN RF器件的尺寸可以比其他技术小得多,并且产品的尺寸和成本将大大降低,这使得天线阵列的性能和效率大大提高。阿森松岛。整个设备的尺寸变小,便于塔架的安装和维护。

作为业界领先的射频解决方案供应商,Qrovo推出了一系列GaN产品。例如,基于0.25微米技术的产品用于基站应用市场,0.15微米和90纳米技术用于具有更高频率要求的应用场景。此外,根据不同的应用场景,Qorvo在MCM模式下组装GaN,GaAs,SOI和其他不同材料,以提供高集成度,小尺寸和低成本的解决方案。

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编者按:最近,第二届全球IC企业家大会在上海举行。作为六个分论坛之一,同时举办了复合半导体产业趋势论坛。该论坛由Saidi智库集成电路研究所,中国宽带功率半导体和应用产业联盟主办。主题是《迎接化合物半导体的产业化浪潮》。参加论坛的专家讨论了化合物半导体材料,芯片和设备的现状和未来趋势。进行了讨论。

Qorvo应用营销总监黄静:

复合半导体将在从4G升级到5G的过程中呈现爆炸式增长。特别是5G MIMO天线的使用使得功率放大器(PA)市场增长更快。在未来几年内,无论是在5G基站还是升级后的4G基站,采用GaN技术的功率放大器都将成为市场的主流选择。

以中国为例。今年在中国部署的5G基站数量将达到10万个。到2020年,中国将有40万到80万个5G基站。 5G MIMO天线阵列将达到64个。这样的大型天线阵列在功耗,尺寸和成本方面面临前所未有的挑战。如何使用先进的化合物半导体工艺来实现最佳系统规格是最大化5G MIMO性能的关键之一。对于运营商而言,如何在5G基站的成本,可靠性和性能方面找到最佳解决方案已成为他们正在考虑的问题。随着性能要求的不断提高,传统硅基材料的性能限制逐渐显现,GaN功率放大器技术正在从专业应用向通信市场转变。

GaN材料本身的特性使其具有高可靠性,高带宽和对更高频率的支持。对于相同的性能指标,GaN RF器件可以比其他技术小得多,并且产品的尺寸和成本将会导致性能显着下降,这极大地提高了天线阵列的整体性能和效率。该装置的整体尺寸减小,并且更容易在塔架上安装和维护。

作为业界领先的射频解决方案供应商,Qrovo推出了一系列GaN产品。基于0.25微米工艺的产品用于基站应用市场,0.15微米和90纳米工艺适用于更高频率的要求应用。此外,Qorvo还根据不同的应用场景在MCM模式下组装不同的材料,如GaN,GaAs和SOI,从而提供高度集成,小尺寸和低成本的解决方案。

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